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三星电子开始量产第8代V-NAND

经济 2022年 11月 07日 14:26

韩联社首尔11月7日电 三星电子7日宣布开始量产全球容量最大的1TB(太字节)第8代3D垂直闪存(V-NAND)。这距离三星量产第7代V-NAND时过1年。

第8代V-NAND的1TB三层式存储单元(Triple Level Cell)在一个Cell中存放3bit数据,是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。第8代产品采用最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口,数据存取速度达到2.4 Gbps(千兆比特每秒),比上一代提升约1.2倍。同时支持PCIe 4.0插槽,今后还将支持PCIe 5.0接口。

近来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。今年美光科技、SK海力士分别宣布研制出232层、238层堆栈闪存。三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。三星此次虽未披露第8代的堆栈层数,不过此前已多次强调拥有制造200层以上闪存的技术力量。(完)

第8代V-NAND 三星电子供图(图片严禁转载复制)

第8代V-NAND 三星电子供图(图片严禁转载复制)

第8代V-NAND 三星电子供图(图片严禁转载复制)

第8代V-NAND 三星电子供图(图片严禁转载复制)

knews@yna.co.kr

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