三星李在镕出席半导体研发园区动工仪式

韩联社首尔8月18日电 三星电子副会长李在镕19日先后访问公司位于京畿道器兴和华城的半导体厂，盘点半导体事务。这是李在镕在光复节获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。

李在镕当天出席在京畿道器兴园区举行的下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。他表示，公司器兴半导体厂破土动工已过40年，今天在此再次开始新的挑战。没有对研发的大胆投资就不会有如今的三星半导体，让我们秉承“重视技术、先行投资”的传统，以前所未有的全新技术创造未来。

该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

动工仪式结束后，李在镕还前往华城半导体厂并与企业干部员工座谈。他承诺将积极与员工进行沟通，并嘱咐员工们以灵活的思维应对变化。此外，李在镕还在半导体研究所主持召开DS（半导体）部门社长团队会议，探讨半导体产业热点问题、风险、下一代半导体技术研发进展情况、提升技术竞争力等方案。

分析认为，李在镕在获赦复权后先视察半导体厂可能旨在盘点公司未来核心业务，不想辜负国民对其助力克服经济危机的期望。 （完）

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