SK海力士成功研发全球首款238层闪存芯片

韩联社首尔8月3日电 韩国半导体制造商SK海力士3日表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。

SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示，这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数，也是目前最小的NAND产品，其意义重大。

与176层NAND相比，新产品的生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗减少21%。

SK海力士计划先为客户端固态硬盘（SSD）供应238层NAND，之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1Tb扩容版。（完）

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