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三星电子全球首发量产3纳米芯片

滚动 2022年 06月 30日 15:24

韩联社首尔6月30日电 三星电子30日宣布,旗下华城工厂已利用3纳米(nm)全环绕栅极(GAA)制程工艺节点开始量产首批芯片,成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

据介绍,与前几代使用鳍式场效应晶体管(FinFET)的芯片不同,第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术,大幅提升了效能。与三星5纳米工艺相比,第一代3纳米工艺可使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%。三星表示,将于明年投入的第二代3纳米工艺能使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。

三星电子计划将3纳米制程工艺优先应用于高性能计算(HPC)芯片,再扩大至移动系统芯片(SoC)等。此外,三星电子还计划从2025年开始生产基于GAA的2纳米芯片,力争在先进芯片制造领域赶超台积电(TSMC)。

据台湾调研机构集邦咨询(TrendForce)提供的数据,以今年第一季度为准,台积电的全球市场份额以53.6%位居第一,三星电子以16.3%位居第二。据悉,台积电计划下半年起量产3纳米芯片,再将GAA技术应用于其2纳米工艺。(完)

三星电子宣布开始量产3纳米芯片。图为三星电子工作人员合影留念。 韩联社/三星电子供图(图片严禁转载复制)
资料图片:三星电子华城厂区 韩联社/三星电子供图(图片严禁转载复制)

lizhengyun@yna.co.kr

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