SK海力士成功研发176层NAND闪存

韩联社首尔12月7日电 SK海力士7日表示，近期成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技，美光11月宣布已批量出货176层NAND闪存。

据SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

SK海力士于上月向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。

据悉，三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。（完）

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