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SK海力士成功研发176层NAND闪存

滚动 2020年 12月 07日 14:42

韩联社首尔12月7日电 SK海力士7日表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。

SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技,美光11月宣布已批量出货176层NAND闪存。

据SK海力士介绍,第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。

SK海力士于上月向控制器企业提供了NAND样品,计划明年6月左右批量生产,并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品,扩大各应用领域的市场。

据悉,三星电子也正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产。(完)

SK海力士成功研发176层NAND闪存。 SK海力士供图(图片严禁转载复制)
SK海力士利川工厂 韩联社TV供图(图片严禁转载复制)

lizhengyun@yna.co.kr

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