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三星电子拟在平泽投建NAND闪存生产线

经济 2020年 06月 01日 15:03

韩联社首尔6月1日电 三星电子1日表示,公司将投入8万亿韩元(约合人民币464.8亿元)在京畿道平泽工业园区投建尖端NAND内存生产线。

这是三星电子继上月21日发布在该园区投建专司极紫外光(EUV)微影光刻技术的晶圆代工生产线计划后,时隔10天再次发布投资计划。虽然三星方面未公开具体投资金额,但业界推测上述晶圆代工生产线和NAND闪存生产线的投资规模分别达10万亿韩元和8万亿韩元。

三星电子已着手EUV晶圆代工生产和NAND内存生产所需的洁净室建设,争取在明年下半年投产5纳米EUV芯片和V-NAND产品。届时,平泽工业园区将成为覆盖储存芯片和系统芯片的尖端半导体复合生产基地。

三星电子表示,此次投资旨在应对随人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。分析认为,在新冠疫情重创全球经济的情况下,三星电子近期接连发表投资计划,反映出欲在全球内存市场继续拉大优势的决心。(完)

三星电子平泽工业园区 韩联社/三星电子供图(图片严禁转载复制)
资料图片:5月18日,三星电子副会长李在镕(左二)视察旗下位于中国西安的半导体生产工厂。 韩联社/三星电子供图(图片严禁转载复制)

yhongjing@yna.co.kr

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