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三星量产二代10纳米16Gb新款移动内存

滚动 2018年 07月 26日 11:44

三星量产二代10纳米16Gb新款移动内存

三星高端存储芯片二期项目在西安开工

韩联社首尔7月26日电 据三星电子26日消息,从本月起三星平泽工厂使用第二代10纳米级工艺开始批量生产16千兆字节LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X,第四代低功耗双数据速率)内存。这在业界尚属首例。

由此,三星电子在生产DRAM(动态随机存取内存)方面建立了更加稳定的供给体系。去年11月,三星电子成功量产第二代10纳米级8千兆字节DDR4 DRAM。

据三星电子分析,与2013年量产的20纳米级4千兆字节LPDDR3 DRAM相比,第二代10纳米级芯片速度和效率提高一倍。与搭载于最新旗舰智能手机的第一代10纳米级16千兆字节LPDDR4X相比,其耗电量可节省10%,可延长电池续航时间。

三星电子推出业界首款256GB存储芯片

三星电子方面表示,今后继续扩大DRAM产能,致力于在内存市场引领“超高速、大容量、超省电”的趋势。(完)

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sm8643@yna.co.kr

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