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三星电子全球率先量产第二代10纳米级DRAM

滚动 2017年 12月 20日 13:57

韩联社首尔12月20日电 三星电子20日表示,将在全球率先量产第二代10纳米级8千兆字节DDR4 DRAM。

三星电子去年2月已成功实现第一代10纳米级的DRAM量产。业界评价,三星在半导体微细工艺上取得再一次腾飞。

三星电子方面介绍,第二代10纳米级DRAM产品采用了超高速、超节电、超小型电路设计等最新工艺技术,较第一代10纳米级速度提高10%以上,耗电量节省15%以上,生产效率提高30%。

三星电子方面表示,此次开发的技术为量产用于服务器的DDR5、用于移动终端的LPDDR5、用于超级电脑的HBM3、用于超高速图像的GDDR6等高档DRAM奠定基础。三星电子计划,通过第二代10纳米级DRAM量产将DRAM量产体系全面转变为10纳米级。(完)

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yongjoo29@yna.co.kr

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